PhotoMOSはLED＋MOSFET構成の無接点リレーで可動部がなく、微小信号でも接点劣化が起こりません。メカリレーに比べて高速・長寿命・小型が特長です。

600 Vは絶対最大定格、480 Vは長期信頼性を確保する推奨動作上限です。余裕を持った設計でサージや温度上昇によるストレスを回避できます。

動作は**平均0.1 mA（最大1 mA）**と極めて低ドライブで済み、マイコンI/O直結設計も容易です。

入出力間は1,500 Vrmsの耐電圧を備え、600 Vアプリでも十分な安全マージンがあります。

低オン抵抗8 Ω typ.と350 mWの出力損失設計により、50 回/s連続開閉でも自己発熱を最小化できます。

–40 ℃〜+105 ℃で、計測器の恒温槽や産業設備の制御盤内でも安定動作します。

クリアランス／クリーぺージは設計規格（装置の過電圧カテゴリ・汚染度など）に合わせて確保してください。SSOPは小型ですが、周辺配線のレイアウト（高電位部の分離、ガードリング、シールド、リターン経路の最短化）で実効耐圧とノイズ耐性が安定します。はんだパッド設計・レジスト開口もデータシート値を基準に。

オフ時リークは微小ですが、測定レンジが高いほど影響しやすくなります。入力インピーダンスとサンプリング周期に応じて、リーク由来の誤差見積り（VIやRC定数）を事前に実施してください。必要に応じてガード配線、シールド、測定ソースの出力インピーダンス最適化で影響を抑えられます。

MOSFET内蔵の半導体リレーは過渡サージに敏感です。インダクティブ負荷（コイル、ソレノイド等）にはフライバックダイオードやスナバ（RC／TVS）を付与し、dv/dt・di/dtを制御してください。配線ループを小さくし、グラウンドへのリターンを分離するとノイズ再侵入を防げます。

可能ですが設計留意が必要です。直列は電圧分担のばらつき対策としてバランス抵抗等を付与、並列はオン抵抗差による電流分担不均衡に留意し、十分なデレーティングを前提にしてください。評価段階で温度上昇・スイッチング同期の確認が推奨です。

1a（Form A）タイプは、内部に対向接続MOSFETを用いるため基本的に双方向導通でAC/DCどちらの負荷も扱えます（各スペック内で）。ただし周波数や波形、位相条件で損失と温度上昇が変わるため、実使用の波形で評価してください。

半導体リレーは機械的チャタリングがなく、ms未満オーダーの応答でタクト短縮に有利です。装置タクトには信号安定待ち（充電・放電の時定数）や計測器のサンプリング遅延も含め、シーケンス設計で最悪値を基準化するのが安全です。

まずI²Rでチャネル損失を概算し、周辺部品との熱結合（銅箔面積、サーマルビア、近傍発熱源）を踏まえて、代表・最悪条件の温度上昇を実測で確認してください。多点実装では同時オン率と連続動作時間をパラメータ化するのが有効です。

RoHS/REACH等の環境情報、品質証跡、量産供給スキーム、万一のEOL時の置換え案内まで、専任の技術・営業が一体でサポートします。型番固定、選定リスト化、設計変更管理の運用整備もご相談ください。